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Dettagli:
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| Evidenziare: | Ossido del berillio di industria di microelettronica ceramico,Ossido del berillio di industria di microelettronica ceramico,Industria BeO di microelettronica ceramico |
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Ossido del berillio ceramico
Pricipalmente produciamo l'ossido del berillio, il nitruro di boro, il carburo di silicio, la mullite del corindone ceramica, A-75 ceramici, A-95 ceramici, A-96 ceramici, A-99 ceramici ed altri prodotti ceramici, che sono ampiamente usati nello spazio aereo, nella microelettronica, nell'optoelettronica, nelle comunicazioni, nel vuoto elettrico e nelle industrie di elettronica di potenza, fra cui la tecnologia di produzione della ceramica dell'ossido del berillio rappresenta il più ad alto livello in Cina e gli indici della prestazione di prodotto raggiungono il livello avanzato del mondo.
Dati di tecnica dell'ossido del berillio ceramici
| Oggetto | Condizioni di prova | Specificazione | Unità | |
| B-97 | B-99 | |||
| Costante dielettrica | 1MHz | 6,9 士 0,4 | 6,9 士 0,4 | |
| (10 士 0,5) gigahertz | ||||
| Tangente di perdita dielettrica | 1MHz | ≤4X 10-4 | ≤4X 10-4 | |
| (10 士 0,5) gigahertz | ≤8X 10-4 | ≤8X 10-4 | ||
| Resistività di volume | 25℃ | ≥1014 | ≥1014 | Ω.cm |
| 300℃ | ≥10» | ≥10» | ||
| Forza di ripartizione | D C | ≥15 | ≥20 | kV/mm |
| CMOR | - | ≥170 | ≥190 | MPa |
| Coefficiente di dilatazione lineare medio | 25℃~500℃ | (7.0~8.5) *10-4 | (7.0~8.5) *10-4 | I/K |
| Conducibilità termica | 25℃ | ≥200 | ≥240 | W/m.K |
| 100℃ | ≥160 | ≥190 | ||
| Resistenza di shock termico | 0℃-800℃ | Non ci dovrebbero essere crepe | ||
| Densità in serie | ≥2.85 | ≥2.85 | g/ cm3 | |
| Stabilità chimica | 1:9HCL | ≤0.3 | ≤0.3 | Mg/cm2 |
| NaOH di 10% | ≤0.2 | ≤0.2 | ||
| Tenuta dell'aria | - | ≤10*10-11 | ≤10*10-11 | PA. m.3 /s |
| Granulometria media | - | 12~30 | 12~30 | μm |
Persona di contatto: Mr. Pika
Telefono: 86-13838387996
Fax: 86-0371-56010932
